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【简答题】消除“Latch-up”效应的方法?
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版图设计时:为减小寄生电阻Rs和Rw,版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目,加粗电源线和地线,对接触进行合理...
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答案:
在单阱工艺的MOS器件中(P阱为例),由于NMOS管源与衬底组成PN结,而PMOS管的源与衬底也构成一个PN结,两个PN...
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答案:
MOS晶体管的有源寄生效应是指MOS集成电路中存在的一些不希望的寄生双极晶体管、场区寄生MOS管和寄生PNPN(闩锁效应...
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