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集成电路工艺原理判断题每日一练(2018.07.03)
判断题
与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
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热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
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P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
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虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
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