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集成电路工艺原理判断题每日一练(2018.09.05)
判断题
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
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判断题
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
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LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
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虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
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