集成电路工艺原理判断题每日一练(2018.10.26)

判断题
侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
答案：正确
判断题
在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
答案：正确
判断题
多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
答案：错误
判断题
刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。
答案：正确
判断题
硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
答案：错误