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半导体材料单项选择题每日一练(2018.10.11)

  • 单项选择题

    悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。

    A.3min
    B.5min
    C.7min
    D.10min

  • 单项选择题

    在晶体凝固过程中,存在温度梯度的是().

    A.上部和边缘部分
    B.中部和边缘部分
    C.上部和底部
    D.底部和边缘部分

  • 单项选择题

    若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定()。

    A.处于绝对零度
    B.不含任何杂质
    C.不含任何缺陷
    D.不含施主

  • 单项选择题

    下列铸造多晶硅的制备方法中,()没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。

    A.布里曼法
    B.热交换法
    C.电磁铸锭法
    D.浇铸法

  • 单项选择题

    对称三相交流电路无功功率的表达式sin3UIQ中的电压和电流是()。

    A、线电压和线电流
    B、线电压和相电流
    C、相电压和线电流
    D、相电压和相电流

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