集成电路工艺原理问答题每日一练(2018.11.15)

问答题
解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？
答案：目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺的原因是：
①采用自对准方式，减小了晶体管的尺寸和栅电极...
问答题
解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？
答案：质量传输限制淀积速率：淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD.。...
问答题
引线键合技术的分类及结构特点？
答案：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面...
问答题
比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？
答案：投影掩膜版：图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。容易形成亚微米图形；小曝光场，需要步进重复；光学缩小，允许较大的尺寸。...
问答题
光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
答案：光刻的工艺流程共分7步：（1）涂胶，（2）前烘，（3）曝光，（4）显影，（5）坚膜（6）刻蚀，（7）去胶。分辨率是指线条...

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集成电路工艺原理问答题每日一练(2018.11.15)

解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？

解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？

引线键合技术的分类及结构特点？

比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？

光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？