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每日一练
章节练习
集成电路工艺原理判断题每日一练(2018.11.15)
来源:考试资料网
1.判断题
扩散运动是各向同性的。
参考答案:
错
2.判断题
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。
参考答案:
对
3.判断题
热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。
参考答案:
对
4.判断题
LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
参考答案:
对
5.判断题
CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
参考答案:
对