集成电路工艺原理判断题每日一练(2018.11.08)

来源：考试资料网
1.判断题冶金级硅的纯度为98%。
参考答案：对
2.判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
参考答案：错
3.判断题暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
参考答案：对
4.判断题对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
参考答案：错
5.判断题扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
参考答案：对