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每日一练
章节练习
集成电路工艺原理判断题每日一练(2018.11.09)
来源:考试资料网
1.判断题
在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。
参考答案:
对
2.判断题
各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
参考答案:
错
3.判断题
旋涂膜层是一种传统的平坦化技术,在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。
参考答案:
对
4.判断题
在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
参考答案:
错
5.判断题
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。
参考答案:
对