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集成电路制造工艺员(三级)单项选择题每日一练(2019.01.14)

  • 单项选择题

    沾污引起的电学缺陷引起(),硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

    A.不会影响成品率
    B.晶圆缺陷
    C.成品率损失
    D.晶圆损失

  • 单项选择题

    ()是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。

    A.晶核
    B.晶粒
    C.核心
    D.核团

  • 单项选择题

    离子束垂直进入均匀的正交磁场后,将同时受到电场力和()的作用。

    A.洛仑兹力
    B.反向的电场力
    C.库仑力
    D.重力

  • 单项选择题

    TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的()。

    A.应用层
    B.网络层
    C.物理层
    D.传输层

  • 单项选择题

    干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。

    A.稍高于
    B.大大于
    C.等于
    D.没有要求

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