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集成电路制造工艺员(三级)单项选择题每日一练(2019.01.19)

  • 单项选择题

    采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。

    A.结晶形态
    B.非结晶形态
    C.可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的
    D.以上都不对

  • 单项选择题

    涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为()。

    A.后烘
    B.去水烘烤
    C.软烤
    D.烘烤

  • 单项选择题

    在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为宜。

    A.4~6h
    B.50min~2h
    C.10~40min
    D.5~10min

  • 单项选择题

    电离气体与普通气体的不同之处在于:后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是()和中性粒子组成的集合体。

    A.离子
    B.原子团
    C.电子
    D.带电粒子

  • 单项选择题

    离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的()和引出部分组成。

    A.电极
    B.分析器
    C.加速器
    D.腔体

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