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集成电路制造工艺员(三级)单项选择题每日一练(2019.01.17)

  • 单项选择题

    危害半导体工艺的典型金属杂质是()。

    A.2族金属
    B.碱金属
    C.合金金属
    D.稀有金属

  • 单项选择题

    在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。

    A.气体
    B.等离子体
    C.固体
    D.液体

  • 单项选择题

    ESD产生()种不同的静电总类。

    A.1
    B.4
    C.3
    D.2

  • 单项选择题

    ()是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。

    A.蒸镀
    B.溅射
    C.离子注入
    D.CVD

  • 单项选择题

    当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的主要原因。

    A.温度
    B.硅-二氧化硅界面处的化学反应
    C.氧的扩散速率
    D.压力

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