A、（EC-EF.或（EF-EV）≤0 B、（EC-EF.或（EF-EV）≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
A.改变禁带宽度 B.产生复合中心 C.产生空穴陷阱 D.产生等电子陷阱
A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度
A.本征半导体B.杂质半导体C.金属导体D.简并半导体
A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度
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