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集成电路制造工艺员多项选择题每日一练(2019.04.23)

  • 多项选择题

    有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。

    A.负胶受显影液的影响比较小
    B.正胶受显影液的影响比较小
    C.正胶的曝光区将会膨胀变形
    D.使用负胶可以得到更高的分辨率
    E.负胶的曝光区将会膨胀变形

  • 多项选择题

    超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有()。

    A.高分辨率
    B.高灵敏度
    C.精密的套刻对准
    D.大尺寸
    E.低缺陷

  • 多项选择题

    净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如()的沾污。

    A.颗粒
    B.金属
    C.有机分子
    D.静电释放(ESD)
    E.水

  • 多项选择题

    按曝光的光源分类,曝光可以分为()。

    A.光学曝光
    B.离子束曝光
    C.接近式曝光
    D.电子束曝光
    E.投影式曝光

  • 多项选择题

    通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

    A.光刻胶
    B.衬底
    C.表面硅层
    D.扩散区
    E.源漏区

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