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集成电路制造工艺员单项选择题每日一练(2019.08.13)

  • 单项选择题

    离子散射方向与入射方向的夹角,称为()。

    A.渐近角
    B.偏折角
    C.散射角
    D.入射角

  • 单项选择题

    由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

    A.刻蚀速率
    B.选择性
    C.各向同性
    D.各向异性

  • 单项选择题

    铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。

    A.等离子体刻蚀
    B.反应离子刻蚀
    C.湿法刻蚀
    D.溅射刻蚀

  • 单项选择题

    在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。

    A.单晶硅刻蚀
    B.多晶硅刻蚀
    C.二氧化硅刻蚀
    D.氮化硅刻蚀

  • 单项选择题

    化学气相沉积的英文名称的缩写为()。

    A.LVD
    B.PED
    C.CVD
    D.PVD

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