半导体物理问答题每日一练(2019.10.18)

问答题
分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）
答案：
Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图所示：
问答题
半导体光吸收有哪几种？描述各种吸收过程及其吸收谱的特点，给出相应吸收能量阈值。
答案：半导体光吸收的种类：本征吸收，激子吸收，杂质吸收，自由载流子吸收，晶格振动吸收。
本征吸收：电子由价带向导带的...
问答题
把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命τ=τn+τp。
答案：
问答题
在半导体中，V族杂质原子外层第五个电子的运动，可以看成是围绕一个正核电荷的圆形轨道上运动，并穿过具有体介电常数的材料。证明，如果介电常数为11.7，则能量为大约0.1eV的电子，就能在晶体中自由运动。材料晶格常数为5.42A。
答案：XXX基态的能量为Z=1，n=1时的值，

电荷束缚，在<流体>中运动，同理可求出基态半径：
问答题
试指出空穴的主要特征。
答案：
空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下：