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集成电路制造工艺员单项选择题每日一练(2019.12.11)

  • 单项选择题

    一般用()测量注入的剂量。

    A.剂量分布仪
    B.剂量统计仪
    C.电荷分析仪
    D.电荷积分仪

  • 单项选择题

    大硅片上生长的()的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

    A.薄膜厚度
    B.图形宽度
    C.图形长度
    D.图形间隔

  • 单项选择题

    请在下列选项中选出硅化金属的英文简称:()。

    A.Oxide
    B.Nitride
    C.Silicide
    D.Polycide
  • 单项选择题

    对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。

    A.离子注入
    B.溅射
    C.淀积
    D.扩散

  • 单项选择题

    真空镀膜室内,在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板,用来()。

    A.隔挡气体交换
    B.控制蒸发的过程
    C.辅助热量交换
    D.温度调节

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