图示反相器电路欲加深三极管T的饱和深度，在其它条件不变的情况下，可采取（）的...

单项选择题 图示反相器电路欲加深三极管T的饱和深度，在其它条件不变的情况下，可采取（）的措施。

A.增大R₂；
B.减少R_C；
C.减少E_ce；
D.增大T的β。

1.单项选择题半导体中，有两种截流子，分别是（）

A.原子和中子；
B.电子和空穴；
C.电子和质子；
D.电子和离子。

2.单项选择题如果晶体三极管的（），则该管工作于饱和区。

A.发射结正偏，集电结反偏；
B.发射结正偏，集电结正偏；
C.发射结反偏，集电结正偏；
D.发射结反偏，集电结反偏。

3.单项选择题 用电位关系描述双极型三极管的开关工作时的三种状态，正确的是（）

A.A
B.B
C.C
D.D

4.单项选择题 硅二极管导通和截止的条件是（）

A.A
B.B
C.C
D.D

5.填空题逐次浙近型A/D转换器由（）、（）、（）逐次渐近寄存器与控制逻辑，以及时钟信号等组成。

6.填空题若一个14位D/A变换器的满刻度输出电压为V_omax=10伏，当输入D=（10111010101111）₂时，输出电压为（）伏。

7.填空题一般的A/D转换过程是通过（）、（）、（）和（）来完成的。

8.填空题若一个8位A/D转换器，其V_ref=-10伏，则当输入3.75伏时，结果二进码为（），当输入为2.5伏时，结果又为（）

9.填空题以输出二进制代码的位数表示分解度的好坏，位数越多，说明量化误差（），转换精度（）

10.填空题T型电阻D/A转换器的转换速度比倒置T型电阻D/A转换器的（）