图示反相器电路欲加深三极管T的饱和深度,在其它条件不变的情况下,可采取()的措施。
A.增大R2; B.减少RC; C.减少Ece; D.增大T的β。
A.原子和中子; B.电子和空穴; C.电子和质子; D.电子和离子。
A.发射结正偏,集电结反偏; B.发射结正偏,集电结正偏; C.发射结反偏,集电结正偏; D.发射结反偏,集电结反偏。