单项选择题
如图之电路是用普通电压表,测量稽纳(Zener)二极管之崩溃点,当DZ达稽纳崩溃点时,电压表之读数()
A.随VR之减少而下降,却不随VR之增加而升高
B.随VR之增减而升降
C.保持在0.6V左右
D.等于VR2
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1.单项选择题稽纳二极管通常是工作于()
A.顺向电压
B.零电压
C.逆向低电压
D.逆向崩溃电压
2.单项选择题在本质半导体中,由于载子浓度不均匀而产生的电流,称为()
A.漏电流
B.漂移电流
C.扩散电流
D.电子流
3.单项选择题在本质半导体中,由于外加电压而产生的电流,称为()
A.漏电流
B.漂移电流
C.扩散电流
D.电子流
4.单项选择题二极管的障壁电位,即为其电压-电流特性曲线上的()
A.切入电压
B.稽纳电压
C.崩溃电压
D.以上皆非
5.单项选择题变容二极管,是利用下列何者来调变其电容量?()
A.电压
B.电流
C.负电阻
D.频率
6.单项选择题有一锗质二极管在25℃时,Is为1μA,当温度升至55℃时,Is为()
A.1μA
B.2μA
C.4μA
D.8μA
7.单项选择题二极管的空乏电容随着逆偏电压的增加而?()
A.增加
B.减少
C.无影响
D.不一定
8.单项选择题
图中电路,稽纳内阻已知rz=4Ω,RL=40Ω,RS=16Ω,则输入电压变化5V时,输出电压变化几伏?()
A.0.1
B.0.5
C.1
D.2
9.单项选择题当二极管的顺向偏压增加时,扩散电容的大小会()
A.增加
B.减少
C.无影响
D.不一定
10.单项选择题将硼B元素掺进纯硅晶体内,则成为()材料.
A.N型
B.P型
C.I型
D.J型
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