在NMOS中，若VSB大于0，会使阈值电压（）。

单项选择题在NMOS中，若V_SB大于0，会使阈值电压（）。

A.增大
B.不变
C.减小
D.可大可小

1.单项选择题下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。

A.截止区
B.深三极管区
C.三极管区
D.饱和区

2.单项选择题集成电路代工产业的缔造者是（）。‎

A.基尔比
B.摩尔
C.张忠谋
D.胡正明

3.单项选择题FinFET等多种新结构器件的发明人是：（）。

A.基尔比
B.摩尔
C.张忠谋
D.胡正明

4.单项选择题（）年发明了世界上第一个点接触型晶体管。‌

A.1947
B.1948
C.1957
D.1958

5.单项选择题单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：（）。‌

A.LSI
B.VLSI
C.ULSI
D.SoC

6.单项选择题摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：（）。

A.More Moore
B.More than Moore
C.Beyond CMOS
D.SoC

7.单项选择题如下不是集成电路产业特性的是：（）。‎

A.资本密集
B.技术密集
C.低风险
D.高风险

8.单项选择题中国高端芯片联盟正式成立时间是：（）。‌

A.2016年7月
B.2017年7月
C.2016年9月
D.2017年9月

9.单项选择题一个6x6的Booth变码保留进位加法（CSA）阵列乘法器中的最终相加加法器应该是一个（）位的进位传播加法器。

A.12
B.6
C.11
D.18

10.单项选择题基4的波兹编码可以把乘法器中的部分积数量减少到原来的（）。

A.1/2
B.1/3
C.1/4
D.2/3