三极管各极电流Ie、Ib、Ic、之间的关系为（）。

填空题三极管各极电流Ie、Ib、Ic、之间的关系为（）。

1.问答题 电路如图所示，设VI如图所示，试绘出输出电压Vo的波形。设D为硅二极管，使用恒压将（0.7V）模型（Vth=0.6V，rd=40Ω）进行分析。

输出电压Vo的波形如图所示,

2.问答题什么是二极管的单向导电性？

外加正向电压，正向电流大，正向电阻小。
外加反向电压，反向电流小，反向电阻大。

3.问答题说明二极管特性曲线中三个区域的特点是什么？

正向区：正向电阻小，正向电流大。
反向区：反向电阻大，反向电流小。
反向击穿区：反向电阻小，反向电流大。

4.问答题列举出PN结的至少三个主要特性是什么？

PN结的三个主要特性是：
1.单向导电性；
2.反向击穿性；
3.温度特性

5.问答题试述什么是半导体中的扩散运动与漂移运动？

6.问答题试述何谓P型半导体与N型半导体？

7.填空题二极管的反向电阻比正向电阻（）。

8.填空题PN结在外加反方向电压的作用下，耗尽层（），流过PN结的电流（）。

9.填空题MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻（）。

10.填空题PN结中载流子的漂移运动是由于（）而产生的。