单项选择题若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V，5.3V和10V，则该管一定是（）
A.硅材料NPN管
B.硅材料PNP管
C.锗材料NPN管
D.锗材料PNP管
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1.单项选择题P型半导体中的多数载流子是指（）
A.自由电子
B.空穴
C.自由电子—空穴对
D.等离子
2.单项选择题希望放大器具有高的输入电阻和稳定的输出电压，应引入（）负反馈。
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
3.单项选择题共射基本放大电路中，若测得VCEQ=VCC，则可以判断三极管处在（）
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.击穿状态
4.单项选择题差分放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益（）
A.增加一倍
B.为双端输入时的1/2
C.不变
D.不确定
5.单项选择题MOS场效应管的高频小信号电路模型，适合分析下列哪种情况（）
A.输入信号很大
B.输出信号很大
C.输入输出信号都很大
D.输入输出信号都很小
6.单项选择题场效应管本质上是一个（）
A.电流控制电流源器件
B.电压控制电流源器件
C.电流控制电压源器件
D.电压控制电压源器件
7.单项选择题三极管工作在饱和区，要求（）
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结正偏，集电结反偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
8.单项选择题衡量双极型三极管放大能力的参数是（）
A.ICBO
B.β
C.ICEO
D.VBE（on）
9.单项选择题当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）
A.雪崩击穿
B.齐纳击穿
C.热击穿
D.碰撞击穿
10.单项选择题P型半导体是在本征半导体中加入以下何种物质后形成的（）
A.电子
B.空穴
C.三价硼元素
D.五价磷元素
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