已知某互感耦合相位鉴频器的耦合因数A=3，f₀=10MHz，晶体管的Y_fe=30mA/V，回路电容C=20pF，有效Qe=60，二极管检波器的电流通角θ=20°，输入信号振幅为Um=20mV。求：
（1）最大鉴频带宽Bm；
（2）鉴频跨导S_D。

在图示的两个电路中，那个能实现包络检波，哪个能实现鉴频，相应的回路参数如何配置？

方波调频电路如图所示，其中，Ec=Ee=E₁=12V，E₂=5V，E₃=3V，R₁=4.5kΩ，R₂=3kΩ，C₁=C₂=1000pF，调制信号υ_Ω（t）=1.5cos10⁴tV（V），晶体管的β＞100。求调频方波的瞬时表达式。

变容管调频器的部分电路如图所示，其中，两个变容管的特性完全相同，均为C_j=C_j0／（1＋u／u_φ）γ，ZL₁及ZL₂为高频扼流圈，C₁对振荡频率短路。试推导：
（1）振荡频率表示式；
（2）基波最大频偏；
（3）二次谐波失真系数。

图示为晶体振荡器直接凋频电路，试说明其工作原理及各元件的作用。

如图所示变容管FM电路，f_c=360MHz，γ=3，υ_φ=0.6V，υ_Ω（t）=cosΩtV。图中Lc为高频扼流圈，C₃、C₄和C₅为高频旁路电容。
（1）分析此电路工作原理并说明其它各元件作用；
（2）调节R₂使变容管反偏电压为6V，此时C_jΩ=20pF，求L；
（3）计算最大频偏和二阶失真系数。

调频振荡器回路由电感L和变容二极管组成。L=2uH，变容二极管参数为：C_j0=225pF，γ=0.5，υ_φ=0.6V，E_Q=-6V，调制电压为υ_Ω（t）=3cos（10⁴t）V。求输出调频波的
（1）载频；
（2）由调制信号引起的载频漂移；
（3）最大频偏；
（4）调频系数；
（5）二阶失真系数。

调频振荡器回路的电容为变容二极管，其压控特性为C_j=C_j0/（1+2u）1/2。为变容二极管反向电压的绝对值。反向偏压E_Q=4V，振荡中心频率为10MHz，调制电压为υ_Ω（t）=cosΩtV。
（1）求在中心频率附近的线性调制灵敏度；
（2）当要求K_f2＜1％时，求允许的最大频偏值。