离子注入在衬底中产生的损伤主要有（）等三种。

填空题离子注入在衬底中产生的损伤主要有（）等三种。

1.填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

2.填空题制备SiO₂的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。

3.填空题在SiO₂内和Si-SiO₂界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。

4.填空题硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对（）、（）、砷（As）、锑（Sb）等元素具有（）作用。

5.填空题热氧化制备SiO₂的方法可分为四种，包括（）、（）、（）、（）。

6.填空题常规的硅材料抛光方式有：（）抛光，（）抛光，（）抛光等。

7.填空题提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过（）、（）、（）等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

8.填空题直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。

9.填空题高纯硅制备过程为（）→（）→（）→（）→（）。

10.填空题晶体中的缺陷包括（）、（）、（）、（）等四种。