BiCMOS技术就是将（）和（）的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。

硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是（）。

20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是（）。

什么是MOS器件的体效应？

集成电容主要有几种结构？

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。