热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅...

判断题热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。

1.判断题当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错。

2.判断题管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。

3.判断题连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体。

4.填空题设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。

5.填空题常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。

6.填空题湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。

7.填空题湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO₂常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si₃N₄常用的腐蚀剂是（）。

8.填空题控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。

9.填空题光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

10.填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。