SiO2作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。

判断题SiO₂作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。

1.判断题SiO₂中5价的网络形成者可使结构强度增加，而3价的网络形成者可使结构强度减小。

2.判断题热氧化生长的SiO₂都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密，SiO₂中有离子键成份，氧空位表现为带正电。

3.判断题热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。

4.判断题当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错。

5.判断题管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。

6.判断题连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体。

7.填空题设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。

8.填空题常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。

9.填空题湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。

10.填空题湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO₂常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si₃N₄常用的腐蚀剂是（）。