二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在...

判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。

1.判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

2.判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

3.判断题温度对氧化速率常数A、B都有影响，压强只影响氧化速率常数B。

4.判断题硅热氧化形成SiO₂体积将增加约1倍。

5.判断题SiO₂作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。

6.判断题SiO₂中5价的网络形成者可使结构强度增加，而3价的网络形成者可使结构强度减小。

7.判断题热氧化生长的SiO₂都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密，SiO₂中有离子键成份，氧空位表现为带正电。

8.判断题热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。

9.判断题当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错。

10.判断题管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。