最新试题
硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的()材料等。
题型:多项选择题
设计一个CMOS差分放大器电路,写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。
题型:问答题
MOS器件存在哪些二阶效应?
题型:问答题
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算栅极电容。
题型:问答题
在图中,若所有的晶体管都工作在饱和区,求M4的漏电流。
题型:问答题
晶体管的名字取自于()和()两词。
题型:多项选择题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
试用电导率为102/(Ω·cm),厚1μm的材料设计1kΩ的电阻,设电阻宽1μm,求其长。
题型:问答题
由硅片生产的半导体产品,又被称为()。
题型:多项选择题
为提高CMOS集成电路的抗自锁能力,可在版图设计上采取哪些措施?
题型:问答题