离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子...

判断题离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。

1.判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。

2.判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。

3.判断题热扩散掺杂的工艺可以一步实现。

4.判断题替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。

5.判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。

6.判断题基区主扩散属于有限表面源扩散。

7.判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。

8.判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。

9.判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

10.判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。