A.介质内的电场强度为零
B.介质内与介质外的电场强度相等
C.介质内的场强比介质外的场强小
D.介质内的场强比介质外的场强大
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A.处处为零
B.不一定为零
C.一定不为零
A.不变化
B.平均分配
C.不平均分配
A.电场强度空间分布为已知时;空间各点的电势值将唯一确定
B.电势空间分布为已知时;空间各点的电场强度值将唯一确定
C.在等势面上,某些特殊点处的电场线可以不垂直等势面上
D.在涡旋电场中,电势仍然有意义
如图,在充电后的平板电容器中插入电介质,则()
A.在1、2区部分,电容极板上的自由电荷面密度相同
B.在1、2区部分,两电容极板间的电压相同
C.在1、2区部分,两电容极板间的电场强度不同
D.在1、2区部分,对应的电位移矢量大小相同
A.F/2
B.F/4
C.3F/8
D.F/10
如图,不带电的金属导体球壳外有一电荷q,金属内及腔内电场为零,即所谓被屏蔽,屏蔽原理为:()
A.电荷q在金属内及腔内不能产生电场
B.金属外表面产生均匀分布的感应电荷,感应电荷在金属内及腔内的电场为零
C.电荷q及感应电荷在空间各点的和电场为零
D.在金属内及腔内,电荷q及感应电荷的电场大小相等方向相反
A.由于带电体具有轴对称性,电场强度可以由高斯定理求得
B.圆环中心的场强为零
C.圆环中心的电势一定,其值为
D.以上说法全不对
有一接地的金属球,用一弹簧吊起,金属球原来不带电,若在它的下方放置一电量为q的点电荷,如图所示,则()
A.只有当q>0时,金属球才下移
B.只有当q<0时,金属球才下移
C.无论q是正是负金属球都下移
D.无论q是正是负金属球都不动
在一点电荷产生的静电场中,一块电介质如图所示放置,以点电荷所在处为球心做一球形闭合面,则对此球形闭合面()
A.高斯定理成立,且可用它求出闭合面上各点的场强
B.高斯定理成立,但不能用它求出闭合面上各点的场强
C.由于电介质不对称分布,高斯定理不成立
D.即使电介质对称分布,高斯定理也不成立
A.C1和C2极板上电量都不变
B.C1极板上电量增大,C2极板上电量不变
C.C1极板上电量增大,C2极板上电量减少
D.C1极板上电量减少,C2极板上电量增大
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纯金属具有规则的晶格,因此电阻率很小,若杂质含量极少,则不会导致金属晶格的畸变,造成电子散射,不影响电阻率。
理论上讲,涡流在导体中的透入深度与涡流的频率和导体的电磁特性有关,与激励信号的强度无关。
阻抗归一化方法消除了原边线圈阻抗以及激励频率对曲线位置的影响。
石墨材料具有一定的导电能力,与硅、锗元素同属半导体,但是不能采用涡流技术检测石墨及其复合材料制品。
温度升高,导致自由电子与金属晶格中的正离子碰撞加剧,使电导率值变小。
多相合金的居里点和相的成分有关,合金中有几个铁磁相,相应的就有几个居里点。
经归一化处理后的阻抗图曲线以一系列影响阻抗的因素(如电导率、磁导率等)作参量。
在无限长载流空心螺线管内同轴地插入一小块圆柱形顺磁介质。若点1、2分别为圆柱介质中靠近柱面而分别在柱面两边的两个点,设点1、2处的磁感强度分别为B1、B2,磁场强度分别为H1、H2,则它们之间的关系为()
不同铁磁性材料的饱和磁滞回线所包围的面积是不同的,软磁性材料的磁滞回线形状肥大,包围的面积大,表示其磁化困难。
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