光伏探测器的短路电流与辐射照度成正比关系。

如图所示是一个光栅示意图，根据图中所示的信息，标注为字母（）的可以表示光栅常数。

光伏探测器的频率特性会随着外接负载的变化而变化。

漂移时间不是限制光伏探测器的频率特性的主要因素。

光电三极管的光电流和照度成正相关关系，但并非线性关系。

硅光电二极管的电流灵敏度一般比硅光电三极管低。

当入射光照射到一维PSD光敏层时，从两个电极输出的电流大小分别与光点到各电极的距离成正比。

雪崩光电二极管的暗电流及雪崩增益与外加偏压有关。

光伏探测器的暗电流是由热激发的载流子引起的，与器件材料、工作温度无关。

PIN光电二极管的响应速度快、频率性能好，因为I层增加了PN结的结区面积，结电容变小。