以下不是场效应晶体管的主要参数的是（）

单项选择题以下不是场效应晶体管的主要参数的是（）

A.开启电压
B.低频跨导
C.电流放大倍数β
D.最大耗散功率

1.单项选择题对放大电路中的三极管测量，各级对地电压为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V则该管是（）

A.硅NPN管
B.锗NPN管
C.硅PNP管
D.锗PNP管

2.单项选择题共发射极放大电路中三极管的集电极静态电流的大小与（）无关。

A.集电极电阻
B.基极电阻
C.三极管的β
D.电源电压

3.单项选择题三极管的ICEO越大，说明其（）

A.工作电流大
B.击穿电压高
C.寿命长
D.热稳定性差

4.单项选择题以下属于三极管放大的外部条件是（）

A.发射区掺杂浓度高
B.集电结反偏
C.基区薄且掺杂浓度低
D.集电结面积大

5.单项选择题以下不是二极管的正确使用的是（）

A.整流
B.钳位
C.放大
D.元件保护

6.单项选择题当温度升高后，二极管的正向电压（），反向电流（）。

A.减小、增大
B.增大、减小
C.不变、不变
D.不变、增大

7.单项选择题用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000KΩ，这说明该二极管（）

A.短路
B.完好
C.开路
D.无法判断

8.单项选择题在N型半导体中如果掺入足够量的（）元素，可将其改型为P型半导体。

A.一价
B.二价
C.三价
D.四价

9.单项选择题二极管反偏时，以下说法正确的是（）

A.在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流
B.在达到死区电压之前，反向电流很小
C.二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关
D.在达到反向击穿电压之前通过电流很大，称为反向饱和电流

10.判断题n位DAC的分辨率可表示为1/2^n-1。