砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。

判断题砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。

参考答案：对

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1.判断题与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。

参考答案：对

2.单项选择题 对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（）

A. 杂质电离和电离杂质散射
B. 本征激发和晶格散射
C. 晶格散射
D. 本征激发

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3.多项选择题由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（）电流，由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（）电流

A.扩散
B.漂移
C.热运动

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4.单项选择题 P型半导体发生强反型的条件（）

A.A
B.B
C.C
D.D

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5.多项选择题 P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。

A. 相同
B. 不同
C. 无关
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段

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6.单项选择题导带底的电子是（）。

A. 带正电的有效质量为正的粒子
B. 带正电的有效质量为负的准粒子
C. 带负电的有效质量为正的粒子
D. 带负电的有效质量为负的准粒子

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7.问答题 请选出正确选项填入括号内
在室温下，半导体Si中掺入浓度为10¹⁴cm^-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为1.1×10¹⁵cm^-3的硼杂质，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；如果，此时温度从室温升高至K550，则杂质半导体费米能级的位置（）。（已知：室温下，n_i=10¹⁰cm^-3；K550时，n_i=10¹⁷cm^-3）

参考答案：

C；D；G；B；E；H；I

8.多项选择题电离后向半导体提供空穴的杂质是（），电离后向半导体提供电子的杂质是（）。

A. 受主杂质
B. 施主杂质
C. 中性杂质

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9.问答题 计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

参考答案：

10.问答题 计算能量在E=E_c到E=E_c+之间单位体积中的量子态数。

参考答案：