半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。前者在（）下起主要作...

填空题半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。前者在（）下起主要作用，后者在（）下起主要作用。

参考答案： 电离杂质散射；晶格振动散射；电离施主或电离受主形成的库伦势场；温度高

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1.填空题纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。

参考答案：电子；施主；N

2.问答题 如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。

判断其表面空间电荷层的状态（多子积累、少子耗尽、少子反型）

参考答案：少子反型

3.问答题 如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图。

画出对应的电荷分布图。

参考答案：

4.问答题室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。

参考答案：形成电子阻挡层。

5.问答题室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图，并标明半导体表面势V_S的数值。

参考答案：

6.问答题室温下，施主浓度为1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。计算硅Si的功函数。

参考答案：

7.问答题 室温下，n型硅样品中，掺杂浓度N_D=10¹⁶cm^-3。光均匀照射Si样品上，电子-空穴对的产生率为1.25×10²⁰cm^-3s^-1，样品寿命为8μs。计算无光照和有光照的电导率。其中，已知q=1.6×10^-19C

参考答案：

8.问答题对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10^-19C，本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度为5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。试计算问题（2）中杂质半导体的电阻率与本征硅的电阻率的比值。

参考答案：

9.问答题对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10^-19C，本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度为5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。画出问题（2）中杂质半导体的能带图，并确定费米能级相对于E_C的位置

参考答案：

10.问答题对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10^-19C，本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度为5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。当在本征硅中掺入百万分之一的砷（As）后，设杂质全部电离，试计算电子浓度和空穴浓度。

参考答案：