工作在放大状态的晶体三极管，流过发射结的电流主要是（）

单项选择题工作在放大状态的晶体三极管，流过发射结的电流主要是（）

A.漂移电流
B.复合电流
C.穿透电流
D.扩散电流

1.填空题R_C桥式正弦波电路中的RC串并联网络是（）电路，又是（）电路，它的振荡f₀的表达式为（）。

2.填空题集成运放线性应用中，同相输入端的电位与反相输入端的电位相等，即U₊=U_-称此为（），两输入端的信号电流为零，即i₊=i_-称此为（）。

3.填空题集成运放的四个基本*部分组成，一是（），二是（），三是（），四是（）。

4.填空题差动放大电路的四种输入输出方式是（），（），（），（）。

5.填空题单级共射放大电路与由这样两个单级构成的多级放大电路相比较，多级放大电路的电压放大倍数值（），上限频率f_H（），下限频率f_L（），通频带B_W（）。

6.填空题在基本组态的放大电路中，负载电阻R_L越大，则电压放大倍数的值（），信号源的内阻R₀越大，则源电压放大倍数的值（）。

7.填空题晶体三极管的参数受温度影响，当温度升高时，晶体管的I_CBO将（），β将（），|U_BE|将（）。

8.填空题PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。

9.填空题半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。

10.问答题 如下图所示电路中的运放将工作于深度负反馈条件下，已知：R_F1=10k，R_F2=1k，R=10K，I_S=1mA，试求：
（1）u_o1的表达式；
（2）当u_o1从0~1v变化时，求R_X的变化范围。