判断题若晶体管的发射结和集电结均处于正向偏置状态,则管子必定工作于饱和区。

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8.单项选择题

图所示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应()

A.减小C减小Ri
B.减小C增大Ri
C.增大C减小Ri
D.增大C增大Ri

10.单项选择题

某场效应管的转移特性如图所示,该管为()

A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管