电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为（），随负载加重U...

填空题电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为（），随负载加重Ud逐渐趋近于（）。

参考答案： √2U₂；0.9U₂

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1.填空题对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值（）。

参考答案：下降

2.填空题三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是（）的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是（）的相电压；这种电路α角的移相范围是（），u_d波形连续的条件是（）。

参考答案：最高；最低；0-120°；α≤60°

3.填空题三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差（），当它带阻感负载时，α的移相范围为（）。

参考答案：120°；0-90°

4.填空题电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于（），晶闸管控制角α的最大移相范围是（），使负载电流连续的条件为（）（U2为相电压有效值）。

参考答案：√2U₂；0-150°；α≤30°

5.填空题单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=（）；当控制角α小于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=（）。

参考答案：π-α-δ；π-2δ

6.填空题单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为（），单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为（）和（）；带阻感负载时，α角移相范围为（），单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为（）和（）；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个（）。

参考答案：0-180°；√2U₂/2；√2U₂；0-90°；√2U₂；√2U₂；平波电抗器

7.填空题阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是（），其承受的最大正反向电压均为（），续流二极管承受的最大反向电压为（）（设U2为相电压有效值）。

参考答案：流过电感的电流不能突变；0-180°；√2U₂；√2U₂

8.填空题电阻负载的特点是（），在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是（）。

参考答案：电压和电流成正比且波形相同；0-180°

9.填空题在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。

参考答案：电力二极管；晶闸管；GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT；电力MOSFET；电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；I...

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10.填空题IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。

参考答案：略有下降；小于