基极偏置电阻Rb的大小决定了静态工作点高低，Rb的数值调得过大，则造成（）。

单项选择题基极偏置电阻Rb的大小决定了静态工作点高低，Rb的数值调得过大，则造成（）。

A．饱和失真
B．截至失真
C．没有影响
D．以上都不是

1.单项选择题无论是采用哪一种连接方式，也无论是采用NPN型管还是PNP型管，要使三极管具有放大作用，都必须保证（）。

A．发射极正偏、集电极反偏
B．发射结正偏、集电结反偏
C．发射极正偏、集电极反偏
D．发射结反偏、集电结正偏

2.单项选择题 三极管3DG4的P_CM=300mW，I_C=10mA，管子的工作电压U_CE等于（）V。

A．30
B．10
C．3000
D．300

3.单项选择题电容器在电路中的作用是（）。

A.通直流阻交流
B.通交流隔直流
C.通低频阻高频
D.通直流

4.单项选择题三相半波整流电路中，负载RL上，直流电压（）。

A．UL≈1.17U2
B．UL≈2.4U2
C．UL≈2.1U2
D．UL≈1.9U2

5.单项选择题当三极管处在放大区时，IB=0.02A，IE=0.5A，则IC等于（）。

A．0.02A
B．0.48A
C．0.01A
D．0.5A

6.单项选择题国产二极管型号的意义，用拼音字母表示器件的材料和极性，A代表（）。

A．材料
B．P型锗材料
C．N型锗材料
D．P型硅材料

7.单项选择题用于数字电路和控制电路的二极管是（）

A.普通二极管
B.整流二极管
C.开关二极管
D.稳压二极管

8.单项选择题要使三极管具有放大作用，都必须保证（）

A．岁发射结正偏、集电结反偏
B．发射结反偏、集电结正偏
C．发射极正偏、集电极反偏
D．集电极反偏、集电极正偏

9.单项选择题半导体的导电性介于导体与绝缘体之问。常用的半导体材料有：硅（Si）和锗（Ge）。原子结构的最外层轨道上有（）个价电子。

A．2
B．3
C．4
D．5

10.单项选择题欧姆定律表示通过电阻的电流与电阻两端所加的电压成正比，与（）成反比。

A．电阻的电功率
B．电源的电动势
C．电流所做的功
D．电阻值