问答题
如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中,已知VP=-4v,IDSS=1mA, VDD=16v, RG1=160kΩ,RG2=40kΩ,RG=1MΩ,RD=10kΩ,RS=8kΩ,RL=1MΩ。
试求:静态工作点Q
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4.单项选择题差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()
A. 放大倍数越稳定
B. 交流放大倍数越大
C. 直流放大倍数越大
D. 抑制零漂的能力越强
5.单项选择题晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。
A.β增加,ICBO和 uBE减小
B.β和ICBO增加,uBE减小
C.β和uBE减小,ICBO增加
D.β、ICBO和uBE都增加
9.单项选择题
图所示电路中,已知稳压管Dz的稳定电压Uz=5V,流过稳压管的电流Iz为()
A.5mA
B.10mA
C.20mA
D.40mA;
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中频放大器的谐振曲线越接近矩形,说明()。
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