单项选择题Intel8088状态标志寄存器PSW中条件标志位有:()。

A、AF;OF;CF;ZF
B、AF;OF;CF;ZF;PF
C、AF;CF;OF;PF;SF;ZF
D、TF;OF;IF


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2.单项选择题(10110101.1101011)B=()D。

A、265.654
B、265.658
C、665.654
D、553.651

3.单项选择题十六进制(AF)H转换成二进制数为()。

A、10110001
B、10101111
C、11001101
D、11001111

4.单项选择题二进制数(1011)B转换成十进制数为()。

A、10
B、5
C、15
D、11

5.单项选择题扇出系数N。表示()。

A、电路处于空载截止状态下的电源电流
B、电路处于空载导通状态下的电源电流
C、高电平输入电流或输入交叉漏电流
D、TTL与非门带同类门的个数

8.单项选择题放大电路工作在动态范围时,下列说法正确的是()。

A、若ic幅值较小,则可能造成截止失真
B、若ic幅值较大,则可能造成线性失真
C、若ic幅值较大,则可能造成饱和失真
D、若ic幅值较小,则可能造成饱和失真

9.单项选择题在基本交流放大电路中,说法正确的是()。

A、无信号插入时称为放大电路的静态
B、无交流信号插入时称为放大电路的静态
C、有交流信号插入时称为放大电路的静态
D、无交流信号插入时称为放大电路的动态

10.单项选择题由于PN结内存在着内电场,因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是()。

A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4V 
B、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2V 
C、电位降落的方向和内电场方向相反 
D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V