斩波器的占空比是指（）

单项选择题斩波器的占空比是指（）

A.t_on/t_off
B.t_off/t_on
C.t_on/T
D.t_off/T

1.单项选择题通常在晶闸管触发电路中，若改变（）的大小时，输出脉冲相位产生移动，达到移相控制的目的。

A.同步电压
B.控制电压
C.脉冲变压器变比
D.控制电流

2.单项选择题三相全控桥式整流电路在宽脉冲触发方式下一个周期内所需要的触发脉冲共有六个，它们在相位上依次相差（）。

A.60°
B.120°
C.90°
D.180°

3.单项选择题三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（）次。

A.2
B.3
C.4
D.6

4.单项选择题三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角α为（）度时，整流输出电压与电流波形断续。

A.0＜α≤30
B.30＜α≤150
C.60＜α＜180
D.90＜α＜180

5.单项选择题三相半波可控整流电路，电阻性负载，晶闸管可能承受的最大正向电压为（），设U2为变压器二次侧相电压有效值。

A.2U₂
B.√2U₂
C.√3U₂
D.√6U₂

6.单项选择题单相半控桥式整流大电感负载电路中，为了避免出现一个晶闸管一直导通，另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生，采取的措施是在负载两端反并联一个（）。

A.电容
B.电感
C.电阻
D.二极管

7.单项选择题实现晶闸管过电压保护的是（）。

A.快速熔断器
B.RC电路
C.快速开关
D.电抗器

8.单项选择题IGBT的三个引出电极分别是（）。

A.阳极、阴极、门极
B.阳极、阴极、栅极
C.栅极、漏极、源极
D.栅极、发射极、集电极

9.单项选择题双极型功率晶体管与VDMOS的复合器件是（）。

A.GTO
B.IGBT
C.GTR
D.MOSFET

10.单项选择题在现在的制造水平下，容量最大的电力电子器件是（）。

A.GTO
B.GTR
C.MOSFET
D.IGBT