简述刻蚀的概念、工艺目的、分类、应用。_考试资料网

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问答题简述刻蚀的概念、工艺目的、分类、应用。

参考答案： 概念：用化学或物理的方法，有选择地去除硅片表面层材料的过程称为刻蚀。
工艺目的：把光刻胶图形精确地转移到硅片上...

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1.问答题简述什么焦深（DOF）及其公式。

参考答案：焦深是焦点上下的一个范围，在这个范围内图像连续保持清晰。焦深类似照相的景深，集成电路光刻中的景深很小，一般在1.0&mu...

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2.问答题写出分辨率（R）公式及简述提高分辨率的方法。

参考答案：分辨率是将硅片上两个相邻的关键尺寸图形区分开的能力。分辨率是光刻中一个重要的性能指标。

k为工艺因...

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3.问答题写出数值孔径（NA）公式。

参考答案：

4.问答题简述正胶和负胶区别。

参考答案：

正胶：曝光的部分易溶解，占主导地位；
负胶：曝光的部分不易溶解。负胶的粘附性和抗刻蚀性能好，但分辨率低。

5.问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

参考答案：光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光...

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6.问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。

参考答案：

①气相成底膜；
②旋转涂胶；
③软烘；
④对准和曝光；
⑤曝光后烘培（PEB）；
⑥显影；
⑦坚膜烘培；
⑧显影检查。

7.问答题简述部分离子注入工艺的作用。

参考答案：①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。
...

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8.问答题简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。

参考答案：①深埋层注入；
②倒掺杂阱注入；
③穿通阻挡层注入；
④阈值电压调整注入；
⑤轻...

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9.问答题简述离子注入退火目的与方法。

参考答案：工艺目的：消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置从而实现电激活。
①高温热退火
通常的退火温度：...

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10.问答题简述离子注入效应。

参考答案：沟道效应：当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时就发生了沟道效应。
控制沟道效应的方法：①倾斜硅片...

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