问答题简述低压CVD系统(LPCVD)的优缺点。
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晶体管的名字取自于()和()两词。
题型:多项选择题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
在图中,若所有的晶体管都工作在饱和区,画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。
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MOS器件存在哪些二阶效应?
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什么是MOS器件的体效应?
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版图DRC、ERC和LVS的意义是什么?
题型:问答题
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算栅极电容。
题型:问答题
比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。
题型:问答题
由于衬底材料的缘故会自动产生电容,这种电容称为()。
题型:单项选择题
说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。
题型:问答题