图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

晶体管的名字取自于（）和（）两词。

集成电路电阻可以通过（）产生。

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。

什么是无源电阻？什么是有源电阻？举例说明。

半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

版图DRC、ERC和LVS的意义是什么？

什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。

MOS器件存在哪些二阶效应？