简述铝的结穿刺现象及解决方法。

问答题简述铝的结穿刺现象及解决方法。

1.问答题简述铝互连的优缺点。

2.问答题简述高能离子轰击的内容。

3.问答题简述电镀的优缺点。

优点：非常好的间隙填充能力，成本低、温度低。
缺点：需要导电种子层，控制复杂。

4.问答题简述溅射的优缺点。

优点：①台阶覆盖能力好；②能沉积金属合金；③能进行原位溅射刻蚀。
缺点：溅射速率低，金属膜含氩。

5.问答题简述蒸发的优缺点。

优点：①成膜速率高（能蒸发5微米厚的铝膜）；②金属膜纯度高。
缺点：①台阶覆盖能力差；②不能沉积金属合金。

6.问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。

7.问答题简述在APCVD SiO₂时掺杂PH₃，形成磷硅玻璃（PSG）的优缺点。

优点：吸附可动离子电荷改善器件界面，降低玻璃的软化点温度易于平坦化。
缺点：易吸潮，一般控制P₂O₅的含量在4%以下。

8.问答题简述低压CVD系统（LPCVD）的优缺点。

9.问答题简述常压CVD系统（APCVD）的优缺点。

10.问答题简述什么是异类反应和同类反应？