问答题简述LOCOS隔离原理。
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MOS场效应管(MOSFET)在20世纪70年代得到了广泛的接受,从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类()和()。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。
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图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
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从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过()等步骤。
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材料根据流经材电流的不同可分为三类()。
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试述两种传输线电感,比较其优缺点。
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利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算栅极电容。
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半导体工艺技术中,器件互连材料通常包括()等。
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晶体管的名字取自于()和()两词。
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在图中,若所有的晶体管都工作在饱和区,求M4的漏电流。
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MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响?
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