问答题简述什么是浅槽隔离STI及优点。
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.问答题简述LOCOS隔离原理。
2.问答题简述倒掺杂阱技术的步骤。
5.问答题简述CMP技术的优点。
6.名词解释化学机械平坦化(CMP)
7.问答题简述什么是硅化物及其作用。
8.问答题简述铜互连的优点及采取的工艺措施。
9.问答题简述电迁移现象及解决方法。
10.问答题简述铝的结穿刺现象及解决方法。
最新试题
设计一个CMOS差分放大器电路,写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。
题型:问答题
在图中,若所有的晶体管都工作在饱和区,画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。
题型:问答题
MOS器件存在哪些二阶效应?
题型:问答题
为提高CMOS集成电路的抗自锁能力,可在版图设计上采取哪些措施?
题型:问答题
比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。
题型:问答题
硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的()材料等。
题型:多项选择题
20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是()。
题型:多项选择题
什么是无源电阻?什么是有源电阻?举例说明。
题型:问答题
在晶体材料中,对于长程有序的原子模式最基本的实体就是()。
题型:单项选择题
试述两种传输线电感,比较其优缺点。
题型:问答题