A.发射区杂质浓度大于基区杂质浓度;
B.发射区杂质浓度小于基区杂质浓度;
C.发射区杂质浓度等于基区杂质浓度;
D.发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
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如果用N型半导体代替图A-21中的本征半导体,外电路中的电流将比同样尺寸的本征半导体的()。
A.加;
B.减少;
C.相等;
D.不变。
A.电子和空穴构成;
B.正电荷和负电荷构成;
C.施主离子;
D.施主杂质原子和受主杂质原子构成。
A.R×1挡;
B.R×100挡;
C.R×100k挡;
D.R×10挡。
A.烧坏;
B.不工作;
C.工作正常;
D.完好。
A.电压挡;
B.电流挡;
C.欧姆挡;
D.其他挡。
A.Ie=Ib+Ic;
B.Ic=Ie+Ib;
C.Ib=Ie+Ie;
D.Ib=Ic-Ic。
A.各支路电流之和;
B.各支路电流之积;
C.各支路电流倒数和;
D.无法算。
A.电功率;
B.电能;
C.电势;
D.电压。
A.互相吸引;
B.互相排斥;
C.互不反应;
D.不一定。
A.两个及以上;
B.三个以上;
C.三个及以上;
D.四个以上。
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