锗材料二极管的死区电压为（）V。

单项选择题锗材料二极管的死区电压为（）V。

A、0.1
B、0.3
C、0.5
D、0.7

1.单项选择题硅材料二极管的死区电压为（）V。

A、0.1
B、0.3
C、0.5
D、0.7

2.单项选择题常用二极管的特性是（）。

A、放大作用
B、稳压作用
C、开关特性
D、单向导电性

3.单项选择题PN结是（）形成的。

A、将P型和N型半导体掺杂
B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散
C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散
D、多数载流子与少数载流子相互扩散

4.单项选择题P型半导体中，电子数目与空穴数目相比（）。

A、电子数多于空穴数
B、电子数少于空穴数
C、电子数等于空穴数
D、电子数与空穴数之比为3：2

5.单项选择题对半导体的叙述正确的是（）。

A、半导体即超导体
B、半导体即一半导电一半不导电
C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
D、半导体是经过处理的绝缘体

6.单项选择题三极管的反向饱和电流Icbo，是指发射极e开路时，（）极之间的反向电流。

A、e与b
B、e与c
C、c与b
D、b与f

7.单项选择题晶体三极管（）无法用万用表测试。

A、电流放大倍数β
B、穿透电流Icbo
C、截止频率
D、晶体管的管型

8.单项选择题不属于晶体三极管极限参数的是（）。

A、反向击穿电压
B、反向饱和电流
C、集电极最大允许电流
D、集电极最大允许耗散功率

9.单项选择题普通三极管电流放大倍数一般在（）之间为好。

A、20-100
B、300-500
C、600-900
D、1000以上

10.单项选择题3AX系列三极管为（）晶体管。

A、低频小功率
B、低频大功率
C、高频小功率
D、高频大功率